High-Voltage 4H-SiC Thyristors With a Graded Etched Junction Termination Extension

New York, NY / IEEE (2011) [Fachzeitschriftenartikel]

IEEE electron device letters : EDL
Band: 32
Ausgabe: 10
Seite(n): 1421-1423

Autorinnen und Autoren

Ausgewählte Autorinnen und Autoren

Pâques, Gontran
Scharnholz, Sigo
Dheilly, Nicolas
Planson, Dominique
de Doncker, Rik W.

Identifikationsnummern