Reinraum

  Reinraum ISEA

Seit Ende 2003 verfügt das ISEA zusammen mit zwei weiteren Instituten über einen modernen Reinraum mit einer Gesamtfläche von 750 m². In Kooperation mit dem Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik I (IWE I) stehen dem ISEA dort alle notwendigen Prozesse zur Herstellung von leistungselektronischen Bauelementen zur Verfügung.

 

Ausstattung

Moderne Nassbänke mit Megaschallreinigungsbecken, die aus Ausstattungsmitteln des Landes Nordrhein-Westfalen beschafft werden konnten, ermöglichen die Waferreinigung mittels nasschemischer Ätzprozesse.

Zur Strukturierung der Wafer dient das lithographische Labor, das mit einem Belichter der Firma Süß ausgestattet ist. Außerdem steht dem ISEA eine moderne Diffusionsanlage der Firma Centrotherm zur Verfügung, mit deren Hilfe die für die Leistungshalbleiter typischen tiefen Diffusionen durchgeführt werden können. Zur Metallisierung der Wafer stehen zwei Sputter- sowie eine Aufdampfanlage zur Verfügung. Zusätzlich wird eine weitere kleine Sputteranlage zur Erforschung von Metallisierungsschichtfolgen verwendet.

Außerdem kann auch auf die Aufbau- und Verbindungstechnik des IWE I zurückgegriffen werden. Dort stehen die Standardprozesse zum Aufbau von Leistungsmodulen zur Verfügung. Dazu gehören neben Reflow-Öfen, Dick- und Dünndrahtbondern auch Einrichtungen zur Herstellung von Flip-Chip gebondeten Halbleitern. Insgesamt verfügt das ISEA damit über ein komplett ausgestattetes Halbleiterlabor, in dem neue leistungselektronische Bauelemente hergestellt und neue Packaging-Technologien entwickelt werden können. Unter anderem werden bipolare Bauelemente für das Schalten von hohen Strömen und Spannungen entwickelt. Die Bauelemente werden vom reinen Silizium-Wafer bis zur kompletten Struktur prozessiert und charakterisiert.